三星S26 Ultra傳記憶體沿用LPDDR5X 但性能有望大幅提升

三星下一代旗艦手機 SAMSUNG Galaxy S26 Ultra 傳聞將延續 6.9 吋螢幕、5,000mAh 電池，以及 2 億畫素主鏡頭等規格配置，同時導入全新的 CoE OLED 顯示技術、60W 有線快充與 F1.4 大光圈，進一步提升使用體驗。近日，科技部落客 i 冰宇宙透露 SAMSUNG Galaxy S26 Ultra 的記憶體運行速度將優於 Galaxy S25 Ultra。

▲SAMSUNG Galaxy S26 Ultra 傳聞維持前代多項規格，並調整細部技術。（圖為 SAMSUNG Galaxy S25 Ultra）

消息指出，SAMSUNG Galaxy S26 Ultra 雖然依舊採用 LPDDR5X 規格記憶體，但運行頻寬將提升至 10.7Gbps。由於現行 SAMSUNG Galaxy S25 Ultra 採用的是運行速度 9.6Gbps 的美光 1β（1-beta） 製程記憶體，因此外界推測，新機有機會選擇頻寬達 10.7Gbps 的美光最新 1γ（1-gamma）DRAM 製程產品。

▲SAMSUNG Galaxy S26 Ultra 傳聞有機會可能採用美光 1γ 製程 LPDDR5X 記憶體。

根據美光官方資料，新的 1γ 製程不僅提升傳輸速度，還可降低高達 20% 的功耗；此外，其封裝厚度縮減至 0.61mm，較競品薄 6%、較前代薄 14%，有助於廠商打造更輕薄的裝置。先前已有傳聞指出，SAMSUNG Galaxy S26 Ultra 機身厚度可能將壓縮至 7mm 至 8mm 之間，較前代再度瘦身。

▲三星推出的 10.7Gbps 頻寬的 LPDDR5X DRAM 不排除 SAMSUNG Galaxy S26 Ultra 採用的可能性。

不過，三星其實早在 2024 年 4 月便已成功研發出同樣具備 10.7Gbps 頻寬的 LPDDR5X DRAM，並計畫於 2024 年下半年啟動量產，且同年 7 月與聯發科合作，以 12GB 版本完成天璣 9400 平台的驗證。因此，三星下一代旗艦手機 SAMSUNG Galaxy S26 Ultra 傳出採用的 LPDDR5X DRAM 具有 10.7Gbps ，也不排除是選擇使用自家記憶體方案。


三星的 10.7Gbps 頻寬 LPDDR5X DRAM 採用 12nm 製程打造，相較前代 9.6Gbps 版本，性能提升約 25%、容量提升 30%，可進一步強化終端裝置的 AI 運算效能。同時，電源效率也提升 25%，有助延長續航並降低功耗。該款記憶體最高可以提供 32GB 容量版本。

資料來源：微博

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